晶体管分立器件动态特性测试系统ACT3300详细介绍

1.1、产品信息

产品型号：ACT1200

产品名称：晶体管动态特性测试系统

制造厂商：西安天光测控技术有限公司

主要参数：1200V@200A

1.2、物理规格

设备尺寸：800*800*1800mm

设备质量：≦800kg；

整体结构：柜式

1.3、电气环境

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～45℃（工作）；

相对湿度： 20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

大气压力：86Kpa～106Kpa；

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；

电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

海拔高度：海拔不超过 4000m；

压缩空气：无需；

工作时间：连续。

1.4、产品简述

ACT1200 型晶体管动态特性测试系统，是一款主要面向“单管级器件”用户服务的测试设备，可实现对 Si 基（选配 SiC/GaN）材料 的 IGBT、MOS-FET、Diode、BJT 的多种动态参数的***测试，测试原理符合国军标。

能够测试的参数包括开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延 迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总 电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复 充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、输入电容、输出电容、反向转移电容、短路等等。

通过更换不同个性单元（简称 DUT）以达到对应的测试项目，通过软件切换可以选择测试单元、测试项目及配置测试参数、读取保存测试结果。系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。

该测试系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件测试的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全***“晶体管动态特性手动测试平台”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性以及扩展性能够得到持续完善和不断的提升。为从事功率半导体产业的测试用户奉上一款***产品

1.5、测试种类

单管级器件，Si 基 IGBTs , DIODEs , MOS-FETs

1.6、测试项目及参数

(1) 开通特性测试 / Turn_ON

(2) 关断特性测试 / Turn_OFF

(3) 二极管反向恢复测试 / Qrr_FRD

(4) 栅电荷测试 / Qg

(5) 容阻测试 / CR

(6) 开关特性测试（三极管）/ AC-BJT

测试参数

1. Turn_ON_L / 开通时间特性测试参数

td(on)开通延迟

tr 上升时间

ton 开通时间

Eon 开通损耗

2. Turn_OFF_L / 关断时间特性测试参数

td(off)关断延迟

tf 下降时间

toff 关断时间

Eoff 关断损耗

3. Qrr_FWD / 二极管反向恢复特性测试参数

Trr 反向恢复时间

Qrr 反向恢复电荷

Irr 反向恢复电流

Erec 反向恢复损耗

di/dt 电流下降率

4. Qg / 栅极电荷测试参数

Qg （th）阈值电荷

Vg 平台电压

Qg 栅电荷

Qgs 栅源电荷

Qgd 栅漏电荷

5. Cg / 结电容测试参数

Ciss 输入电容

Coss 输出电容

Cres 反馈电容

6. Rg / 栅极电阻测试参数

Rg 栅电阻

6. Rg / 开关特性参数（BJT）

td 开通时间

 tf 关断时间

tr 上升时间

 ts 储存时间